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介绍半导体检测的目的和分类

           半导体检测的目的:
           主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺有的。
           分类
           按照所测定的特性,这一类检测可分为四个方面。
           (1)几何尺寸与表面形貌的检测:如半导体晶片、外延层、介质膜、金属膜,以及多晶硅膜等的厚度,杂质扩散层和离子注入层以及腐蚀沟槽等的深度,晶体管的基区宽度,半导体晶片的直径、平整度、光洁度、表面污染、伤痕等,刻蚀图形的线条长、宽、直径间距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。
           (2)成分结构分析:如衬底、外延层、扩散层和离子注入层的掺杂浓度及其纵向和平面的分布、原始晶片中缺陷的形态、密度和分布,单晶硅中的氧、碳以及各重金属的含量,在经过各工艺步骤前后半导体内的缺陷和杂质的分布演变,介质膜的基本成分、含杂量和分布、致密度、针孔密度和分布、金属膜的成分,各步工艺前后的表面吸附和沾污等。
           (3)电学特性:如衬底材料的导电类型、电阻率(包括平面分布和一批晶片之间的离散度)、少数载流子寿命、扩散或离子注入层的导电类型与薄层电阻、介质层的击穿电压、金属-氧化物-半导体结构的电容特性、氧化层中的电荷和界面态、金属膜的薄层电阻、通过氧化层台阶的金属条电阻、金属-半导体接触特性和欧姆接触电阻、金属-氧化物-半导体晶体管特性等。
           (4)装配和封装的工艺检测:如键合强度和密封性能及其失效率等。
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2020/10/27 09:15:38 73 次

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