半导体芯片可靠性检测
       高温存储试验、温度循环试验、温湿度试验等。
 

可靠性测试
       EOS过度电性应力/涌浪测试一般件、ESD(HBM)一般件、ESD(MM)一般件、ESD(Latch-up)一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏压高加速寿命试验、TCT 温度循环试验、BLT 偏压寿命试验、HTS 高温贮存试验 0~ 300c、LTS 低温贮存试验、THB 温湿度贮存偏压试验、PCT 高温水蒸汽压力试验、HAST 高加速寿命试验、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾锡试验、PTC 电源温度循环、SAT 一般件。
 
服务项目 描述
芯片失效分析 EMMI 失效点定位
OBIRCH 击穿路径成像
FIB 电路修改:0.55 um以上、电路修改:0.11-0.28 m及以上工艺(铝制程)、电路修改:0.11-0.18 um (铜制程)、电路修改: 55-90 nm、电路修改:28-40 nm、切割:IC横截面、切割:TEM样品制备
SEM 电子成像
EDX 元素分析
DECAP 金线、铜线、合金
OM 高清光学显微成像,可拼图
AFM(C-AFM) 材料微观形貌、大小、厚度和粗糙度表征;表面电势、导电性、弹性模量、压电系数
XPS 元素种类、化学价态及相对含量鉴别;元素或化学态表面分布分析
TEM 材料微区观察与分析
FIB+TEM 透射样品制祥+观察
XRD 金属和非金属定性定量分析
Raman 物质结构鉴定、分子相互作用分析
椭偏仪 各种介质膜厚度及折射率
FT-IR 样品成分、结构鉴定
芯片电学测试 静态特性参数 静态参教、特性曲线(Vd-Id, ld-Vg)
动态特性参数 等效电容Ciss, Cosg, Crss;栅极等效电阻Rg;栅极电荷特性Qg;阻性开关特性td(on),td(off),tr, tf;感性开关特性td(on), td (off),tr, tf;二极管反向恢复特性trr, Qrr;短路耐量(时间)
热阻特性 稳态热阻、瞬态热阻
抗静电雷击测试 二极管液涌测试仪(正向)、二极管液浦测试仪(反向)、雷击浪涌发生器、峰值电压测试设备、雷击浪涌测试设备、TLP

手   机:18036862869

电   话:0510-85388506

邮   箱:hkt@hanketest.com

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