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半导体检测的缺陷扫描检查方法介绍

       在开始生产之前,裸晶圆在晶圆制造商处要检验合格合格,并在半导体工厂接收后再次要半导体检测合格。只有无缺陷的晶圆才用于生产,它们的生产前缺陷图允许制造商跟踪可能导致芯片功能不佳的区域。裸晶片或非图案化晶片也在经受被动或主动处理环境之前和之后被测量,以确定来自给定处理工具的粒子贡献的基线。
       100纳米以下的半导体检测工具目前被用于制造环境中,以保障进入晶圆的质量,并用于大批量制造的工艺工具监控和鉴定。这些工具采用与设计用于大规模缺陷检测的工具相同的基本操作原理,在这些应用中使用的系统中,晶片台和光学部件的运动控制需要高度的精度和准确度。
       由于需要检测工具来检测和量化越来越小的颗粒,由于散射光信号的信噪比降低,表面微粗糙度等因素的影响开始影响小颗粒的可检测性。非图案化晶片的亚100纳米检测由于尺度问题而变得复杂,信噪比是确定检测系统对晶片表面颗粒和其他缺陷检测的关键参数。来自环境湿度等来源的表面化学污染也会导致信噪比下降。为了帮助抵消这种影响,用于亚100纳米缺陷检测的半导体检测工具采用高度复杂的光学空间滤波、散射信号的偏振分析和专门的信号处理算法来检测存在表面雾度的缺陷。
2022/07/28 10:40:02 459 次

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